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三菱化学集团 (MCG;东京) 宣布在日本生产基地扩大两处产能,以满足对半导体材料和锂离子电池日益增长的需求。在第一个项目中,MCG将增加其在日本九州福冈工厂(福冈县北九州市)的半导体制造过程中使用的合成硅粉的生产能力。该工厂预计于2028年9月投产,生产能力将比现有工厂增加35%。该合成硅粉具有超
来源:SIA美国半导体行业协会 (SIA) 近日发布了 SIA 总裁兼首席执行官 John Neuffer 的以下声明,肯定了在美国亚利桑那州宣布建立新的 CHIPS for America 研发 (R D) 设施,这一设施是用于半导体原型和先进封装。该设施的原型研究将由美国国家科学和技术委员会(N
亚洲大学Oil Kwon教授团队开发的新型非晶半金属纳米超薄材料半导体器件。(图片由亚洲大学(Ajou University)提供)韩国研究团队开发出一种突破性的非晶态半金属材料,其特性不同于传统金属,为下一代半导体技术的进步铺平了道路。1月3日,由亚洲大学智能半导体工程与电子工程系教授权毓仁 (O
来源:Hackaday过渡金属二硫属化物 (TMD) 是一类材料,作为硅的潜在继任者而受到广泛关注。最近,一组研究人员展示了使用 TMD 替代硅通孔 (TSV) 的方法,TSV 是当前堆叠多层硅半导体电路的方式,例如 NAND 闪存 IC 和带有堆叠内存芯片的处理器。这里的创新之处在于新型电路直接在
来源:IEEE Spectrum英特尔放弃了 20A 制造工艺的商业化,转而采用下一代 18A 制造工艺。——英特尔代工厂在对半导体领域的持续关注与深入研究过程中,笔者试图从备受读者青睐、阅读次数位居前列的半导体文章列表中,探寻诸位读者的兴趣偏好与关注焦点。从本年度的相关文章列表所反映出的情况来看,