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来源:复旦大学微电子学院当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。研发新原理器件以突破MOSFET亚阈值摆幅(SS)为60mV/dec的室温极限,是实现高速度、低功耗CMOS技术和集成电路的重要途径。近年来,包括隧穿晶体管(TFET)、负电容晶体管(NCFET
来源:中国电子报11月16至18日,由工业和信息化部、安徽省人民政府共同主办的2022世界集成电路大会在安徽省合肥市召开。由上海市集成电路行业协会、江苏省半导体行业协会、浙江省半导体行业协会和安徽省半导体行业协会共同承办的长三角一体化集成电路发展主题论坛同期举办。论坛以“长三角携手共进 打造世界级产
来源:盛美半导体盛美半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“盛美上海”),作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的领先设备供应商,今天宣布推出拥有自主知识产权的Ultra PmaxTM等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,拓展了一个重要的全新产品分类。盛美上海预计将在几
来源:财联社财联社12月10日电,德国总理奥拉夫·舒尔茨 (Olaf Scholz) 周五在一次数字峰会上表示,由于对该领域的重点投资,德国可能成为欧洲最大的半导体生产国。他补充说,德国正在努力重建半导体生产线。线上产品推介会最新活动来啦!诚邀各企业参与首届线上产品推介会!如果您的企业是泛半导体相关
来源:SEMI中国美国加州时间2022年12月12日,SEMI在其最新的季度《世界晶圆厂预测报告》(World Fab Forecast)中宣布,预计全球半导体行业将在2021至2023年间开始建设的84座大规模芯片制造工厂中投资5000多亿美元,其中包括汽车和高性能计算在内的细分市场将推动支出增长