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来源:III-V EPi分子束外延 (MBE) 和金属有机化学气相外延 (MOCVD) 是用于针对III-V族半导体合成的不同类型的外延生长技术。这两种技术均将原子逐层沉积到衬底或半导体晶圆上。它们生产具有精确成分和厚度的薄晶体层和半导体异质结构,以提供所需的特定光电特性和设备性能。在本文中,III
来源:工商时报英特尔主推的AI加速器Gaudi 3,采用台积电5nm制程打造,被视为其技术实力的重要展现。尽管目前仍要借助台积电的代工,英特尔的追赶计划已跨大脚步进行,市场传出台积电赴美建厂以来,英特尔随即启动「抢人才」计划,大量招募台积电的资深工程师,但英特尔下一代芯片命名Falcon Shore
转自:北京亦庄7月25日,北京经济技术开发区(北京亦庄)碳化硅功率芯片IDM企业——北京芯合半导体有限公司(以下简称“芯合半导体”)发布自主研发生产的SiC SBD(碳化硅二极管)、SiC MOSFET(碳化硅三极管)两个系列的多款碳化硅功率器件,为半导体产业发展注入“芯”动力。作为用来控制电流的重
高迎(Koh Young Technology)以世界最先进的Optomechatronics技术和机器视觉技术为基础引领世界市场。公司成立于2002年,凭借独特的基于三维测量的检测解决方案,克服了不同行业在生产现场的各种检测难题,通过智能工厂解决方案实现质量管理和工艺优化,为实现智能工厂发挥了关键
据无锡日报消息,日前,韩国吉佳蓝公司与无锡市签署合作协议,在无锡高新区落户中国总部项目,将在无锡建设半导体刻蚀设备研发制造基地。据悉,此次吉佳蓝与无锡高新区、市产业集团签约合作在锡落户中国总部项目,将建设刻蚀设备装配生产线和设备产品验证线,同时计划引入纳米压印光刻设备生产,努力打造海外优质半导体装备