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来源:铠侠,BiCS FLASH 3D闪存的特点- EE Times随着人工智能(AI)和数字化转型(DX)导致数据呈指数级增长,NAND闪存已成为一项越来越重要的技术。铠侠株式会社的第八代BiCS FLASH 3D闪存现已量产,它依赖于一种称为CMOS直接键合到阵列(CBA)的新技术。CBA由两个
随着硅基商用晶体管尺寸的不断缩减,物理极限、功耗和成本等挑战日益凸显,为了满足集成电路对集成度和计算能力的需求,亟需引入新原理、新结构和新材料。半导体型阵列碳纳米管(A-CNT)因其高载流子迁移率、超薄结构和对称能带等优越特性,成为研究的热点。基于A-CNT制备的互补金属氧化物半导体场效应晶体管(C
来源:蔡司显微镜黄承梁随着显微镜技术的发展,半导体用户对显微镜的需求已经不仅仅停留在微观结构的成像上,而是希望通过硬件和软件方案的相结合,提高失效分析(FA)的效率、准确率,并尽可能的减少人工操作带来的不确定性。为此,蔡司提供客制化的软件解决方案,利用AI技术,在分类(classification)
来源:原子创意 研究背景近年来,随着硅场效应晶体管(FETs)在缩放方面接近其基本极限,新一代半导体通道材料的需求变得尤为迫切。二维材料(2D)如二硫化钼(MoS2),因其原子级薄厚度和高载流子迁移率,显示出在未来晶体管中的巨大潜力。然而,尽管2D材料具备优越的物理和电学特性,适用于它们的高质量介电
近日,南京浦口区2024年省市重大项目之一的南京伟测集成电路芯片晶圆级及成品测试基地项目顺利通过竣工验收备案。该项目的竣工验收标志着即将进入正式生产阶段。该项目主体为南京伟测半导体科技有限公司,于2021年1月成立,系伟测科技子公司。该项目总投资9亿元,总建筑面积约5.5万平方米,建设集成电路晶圆测