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来源:集邦化合物半导体12月10日,安森美宣布与Qorvo达成协议,以1.15亿美元(折合人民币约8.33亿元)现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务,包括其子公司United Silicon Carbide(UnitedSiC)。该交易需满足惯例成交条件,预计将于2025年第
来源:TECHPOWERUP2024 IEEE IEDM 会议目前正在美国加州旧金山举行。据分析师Ian Cutress在其社交平台上发布的动态,英伟达在本次学术会议上分享了有关未来 AI 加速器设计的愿景。英伟达认为未来整个 AI 加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上,采用垂直供电,集成硅光子
国家知识产权局信息显示,广州壁仞集成电路有限公司取得一项名为“封装结构”的专利,授权公告号 CN 222126498 U,申请日期为2024年11月。专利摘要显示,本实用新型提供一种封装结构,具有芯片区、中间区和边缘区,所述中间区环绕所述芯片区,所述边缘区环绕所述中间区,且所述封装结构包括:封装基板
据“合肥新站区”官微消息,12月12日,合肥赛美泰克科技有限公司在新站高新区开业运营。source:合肥新站区据悉,该项目总投资约2.3亿元,采用租赁芯屏高科技产业园厂房形式,用于建设IGBT及碳化硅(SiC)产线核心设备项目,生产智能测试分选机设备、甲酸真空焊接炉、SiC芯片测试分选机及晶圆老化测
来源:IEEE台积电在本月早些时候于IEEE国际电子器件会议(IEDM)上公布了其N2(2nm级)制程的更多细节。该新一代工艺节点承诺实现24%至35%的功耗降低或15%的性能提升(在相同电压下),同时其晶体管密度是上一代3nm制程的1.15倍。这些显著优势主要得益于台积电的全栅极(Gate-All